參數(shù)資料
型號(hào)： NE97733-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 進(jìn)步黨硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 45K
代理商： NE97733-T1
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE97733
V
CE
= -1 V, I
C
= -5 mA
FREQUENCY
(GHz)
0.50
0.80
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
4.00
5.00
S
11
S
21
S
12
S
22
K MAG
1
Note:
1. Gain Calculation:
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG
0.428
0.382
0.374
0.387
0.419
0.461
0.502
0.552
0.574
ANG MAG ANG MAG ANG
-126.3
4.899
100.7
-160.6
3.398
-175.9
2.813
155.1
2.002
132.6
1.583
114.5
1.323
100.2
1.148
82.6
0.948
74.2
0.859
MAG ANG (dB)
0.417
-54.0
0.309
-60.2
0.272
-64.5
0.230
-80.1
0.226
-100.1
0.247
-119.0
0.270
-133.8
0.267
-159.3
0.218
155.9
0.101
0.132
0.154
0.213
0.274
0.336
0.393
0.501
0.599
52.7
54.1
55.0
54.6
51.3
46.5
40.9
29.4
16.0
0.77
0.97
1.04
1.09
1.07
1.04
1.01
0.98
0.98
16.8
14.1
11.5
7.9
6.0
4.8
4.1
2.8
1.6
82.8
74.1
56.8
42.6
30.6
21.0
7.0
-4.4
V
CE
= -5 V, I
C
= -10 mA
0.50
0.80
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
4.00
5.00
0.251
0.213
0.207
0.225
0.265
0.316
0.365
0.428
0.462
-126.4
-159.9
-176.4
151.5
127.7
109.8
96.8
82.3
77.7
7.121
4.739
3.878
2.708
2.116
1.754
1.511
1.218
1.074
99.1
84.5
77.3
62.5
49.8
38.6
28.8
13.5
0.8
0.072
0.107
0.131
0.191
0.252
0.310
0.364
0.467
0.566
67.8
68.2
67.6
64.2
59.4
53.5
47.5
36.4
24.3
0.426
0.350
0.324
0.288
0.272
0.275
0.284 -100.1
0.269 -121.5
0.171 -148.4
-38.9
-39.9
-41.9
-52.1
-67.9
-85.3
0.91
1.00
1.03
1.04
1.03
1.00
0.98
0.95
0.94
19.9
16.0
13.7
10.3
8.2
7.2
6.2
4.2
2.8
V
CE
= -8 V, I
C
= -3 mA
0.50
0.80
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
4.00
5.00
0.626
0.447
0.374
0.302
0.310
0.355
0.407
0.428
0.503
-74.0
-111.0
-131.4
-174.7
151.1
125.4
106.9
85.0
74.6
4.205
3.520
3.075
2.293
1.824
1.516
1.301
1.038
0.930
119.4
97.8
87.0
67.2
51.9
39.0
28.4
13.9
3.7
0.088
0.109
0.122
0.157
0.202
0.256
0.314
0.438
0.573
54.6
51.8
52.6
56.0
57.8
56.7
53.7
44.7
32.3
0.673
0.558
0.512
0.451
0.427
0.425
0.433
0.425 -110.2
0.328 -133.5
-32.7
-38.2
-41.0
-49.9
-62.0
-76.0
-89.1
0.56
0.79
0.91
1.05
1.06
1.01
0.96
0.90
0.91
16.8
15.1
14.0
10.2
8.0
7.0
6.2
3.7
2.1
V
CE
= -8 V, I
C
= -20 mA
0.50
0.80
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
4.00
5.00
0.151
0.140
0.142
0.170
0.215
0.268
0.318
0.379
0.416
-140.9
-172.1
172.1
141.7
119.7
104.0
92.5
80.9
79.2
8.095
5.268
4.288
2.974
2.317
1.918
1.652
1.332
1.169
95.5
83.1
76.7
63.2
51.4
40.7
31.2
15.8
2.6
0.067
0.105
0.129
0.191
0.252
0.309
0.362
0.459
0.552
74.7
73.5
72.2
66.9
60.8
54.6
48.4
36.9
25.3
0.389
0.334
0.315
0.285
0.269
0.268
0.274
0.257 -114.2
0.154 -134.6
-34.1
-34.1
-36.1
-46.2
-61.6
-79.2
-94.3
0.98
1.02
1.03
1.03
1.02
1.00
0.98
0.95
0.94
20.8
16.2
14.1
10.9
8.9
7.9
6.6
4.6
3.3
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.5
2
3
4 5
10 20
50
-50
-20
20
10
5
4
3
2
1.5
1
0.8
0.6
0.4
0.2
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.5
-2
-3
-4
-5
-10
S
11
S
22
270
180
225
315
135
0
90
45
S
12
S
21
1.0
2.0
3.0
4.0
0.1 0.2 0.3
0.4 0.5
97733
V
CE
= -8 V, I
C
= -3 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE97833 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833-T1 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NECW008AT NICHIA CHIP TYPE WHITE LED
NEL200101-24 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier
NEL2004F02-24 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT02; Number of Contacts:15; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE97733-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-T1B-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP Silicon HI Freq Transist 8.5GHzfT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97833 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97833-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97833-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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