參數(shù)資料
型號(hào)： NE962R575
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述： 0.5蠟質(zhì)，Ku波段功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： NE962R575
Preliminary Data Sheet P14387EJ1V0DS00
2
NE960R5 SERIES
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25
°
C)
Operation in excess of any one of these parameters may result in permanent damage.
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain to Source Voltage
V
DS
15
V
Gate to Source Voltage
V
GSO
–7 (
9
Note 1
)
V
Drain Current
I
D
0.7
A
Gate Forward Current
I
GF
+5.0
mA
Gate Reverse Current
I
GR
–5.0
mA
Total Power Dissipation
P
T
5.0 (4.2
Note 2
)
W
Channel Temperature
T
ch
175
°
C
Storage Temperature
T
stg
–65 to +175
°
C
Notes 1.
NE962R575
2.
NE961R500
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Parameter
Symbol
Test Condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
V
DS
9.0
9.0
V
Gain Compression
Gcomp
3.0
dB
Channel Temperature
T
ch
+130
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25
°
C, unless otherwise specified, using NEC standard test fixture.)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Saturated Drain Current
I
DSS
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
0.18
0.4
0.7
A
Pinch-off Voltage
V
p
V
DS
= 2.5 V, I
D
= 2 mA
–2.5
–1.8
–0.5
V
Gate to Drain Break Down Voltage
Note 1
BV
gd
I
gd
= 2 mA
15
V
Gate to Source Break Down
Voltage
Note 2
BV
gs
I
gs
= 2 mA
9.0
V
Thermal Resistance
R
th
Channel to Case
30 (35
Note 3
)
°C/W
Output Power at P
in
= +19 dBm
P
out
25.5
26.5
dBm
Output Power at 1 dB Gain
Compression Point
Note 1
P
o (1 dB)
27.5
dBm
Power Added Efficiency at P
o (1dB)
Note 1
η
add
30
%
Linear Gain
Note 1
G
L
f = 14.5 GHz, V
DS
= 9.0 V
R
g
= 1 k
I
Dset
= 180 mA (RF OFF)
8.0
9.0
dB
Notes 1.
Except NE962R575
2.
NE962R575 only
3.
NE961R500
Remark
DC and RF performance is 100 % testing.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE97733 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97733-T1 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833-T1 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NECW008AT NICHIA CHIP TYPE WHITE LED
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE97733 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
NE97733-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-T1B-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP Silicon HI Freq Transist 8.5GHzfT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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