參數(shù)資料
型號(hào): NE962R575
廠商: NEC Corp.
英文描述: 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述: 0.5蠟質(zhì),Ku波段功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商: NE962R575
Preliminary Data Sheet P14387EJ1V0DS00
5
NE960R5 SERIES
[NE960R500]
TEST CONDITIONS: V
DS
= 9 V, I
Dset
= 180 mA
FREQUENCY
GHz
11
S
21
S
12
S
22
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
0.87
0.85
0.85
0.86
0.86
0.85
0.84
0.85
0.86
0.86
0.85
0.85
0.87
0.86
0.87
0.87
0.87
132
146
155
158
161
162
163
165
170
174
179
172
172
170
167
167
163
6.53
4.06
2.74
2.24
1.89
1.62
1.32
1.24
1.12
1.04
0.94
0.83
0.65
0.60
0.57
0.54
0.40
160
168
148
121
93
66
40
11
16
43
64
86
114
152
178
150
122
0.038
0.037
0.038
0.038
0.037
0.033
0.032
0.039
0.032
0.032
0.041
0.025
0.038
0.028
0.032
0.032
0.045
90
120
155
177
137
109
64
35
5
47
78
108
153
171
142
98
80
0.23
0.25
0.29
0.34
0.39
0.44
0.48
0.53
0.56
0.58
0.61
0.63
0.65
0.65
0.68
0.67
0.67
105
118
124
131
133
135
137
138
139
142
146
149
153
157
159
164
175
Caution S-parameters include bond wires.
Gate
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Drain
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Source: No bond wires.
Wire
: 25
μ
m diameter, gold.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE97733 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97733-T1 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833-T1 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NECW008AT NICHIA CHIP TYPE WHITE LED
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE97733 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
NE97733-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-T1B-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP Silicon HI Freq Transist 8.5GHzfT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel