參數(shù)資料
型號： NE72218-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： RES-MF 150 OHM 1/4W 1%
中文描述： C到X波段功率放大器C到X波段振蕩N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： NE72218-T2
Data Sheet P12750EJ3V0DS00
8
NE72218
PACKAGE DIMENSIONS
4-PIN SUPER MINIMOLD (UNIT: mm)
PIN CONNECTIONS
1. Source
2. Gate
3. Source
4. Drain
0
0
+
–
0
0
3
(
2
(
0
0
4
2
1
2.1±0.2
1.25±0.1
0
+
–
0
+
–
0
+
–
0
+
–
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE722S01 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1B1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE734 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73430 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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參數(shù)描述
NE722S01 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1B1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE734 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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