參數(shù)資料
型號： NE72218-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： RES-MF 150 OHM 1/4W 1%
中文描述： C到X波段功率放大器C到X波段振蕩N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： NE72218-T2
Data Sheet P12750EJ3V0DS00
5
NE72218
AMPLIFER PARAMETERS
V
DS
= 3 V, I
D
= 10 mA
Frequency
GUmax
GAmax
S
21
2
S
12
2
K
Delay
Mason’s U
G1
G2
MHz
dB
dB
dB
dB
ns
dB
dB
dB
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
7000
7500
8000
8500
9000
9500
10000
10500
11000
11500
12000
12500
13000
13500
14000
14500
15000
15500
16000
16500
17000
17500
18000
18.83
16.76
15.28
13.77
12.57
11.55
10.70
9.97
9.35
8.83
8.27
7.74
7.27
6.97
6.68
6.50
6.44
6.41
6.38
6.36
6.17
6.04
5.76
5.60
5.48
5.60
5.44
5.45
5.14
4.58
3.67
2.90
2.21
11.96
10.83
10.19
9.42
8.74
8.19
7.99
7.78
7.81
8.34
8.73
8.50
8.38
8.15
7.90
7.65
7.37
7.09
6.79
6.53
6.23
5.95
5.68
5.47
5.21
4.93
4.61
4.22
3.74
3.23
2.63
2.03
1.33
0.59
0.28
1.22
2.21
3.15
4.11
5.09
6.12
7.05
7.98
23.44
22.04
20.86
20.17
19.54
19.22
18.90
18.81
18.66
18.30
18.03
17.73
17.42
16.60
15.90
15.16
14.44
13.87
13.31
12.86
12.50
12.27
12.09
12.10
12.14
12.28
12.59
12.88
13.08
13.29
13.51
13.77
14.20
0.39
0.48
0.55
0.66
0.75
0.85
0.93
1.03
1.10
1.13
1.20
1.26
1.32
1.26
1.21
1.14
1.04
0.95
0.88
0.81
0.78
0.76
0.77
0.77
0.76
0.72
0.71
0.67
0.65
0.65
0.68
0.75
0.82
0.058
0.058
0.057
0.055
0.053
0.051
0.050
0.048
0.047
0.045
0.045
0.046
0.043
0.045
0.047
0.049
0.048
0.048
0.049
0.049
0.046
0.046
0.048
0.045
0.044
0.044
0.035
0.033
0.030
0.028
0.026
0.023
0.022
23.662
23.219
22.068
20.102
19.595
18.153
17.841
16.857
16.530
16.398
15.252
13.995
12.822
12.769
12.379
12.271
12.698
13.096
13.357
13.657
13.187
12.458
10.685
9.478
8.699
8.737
8.174
8.590
8.343
7.597
6.421
4.782
3.605
7.06
5.53
4.45
3.47
2.77
2.19
1.76
1.46
1.24
1.06
0.92
0.80
0.74
0.74
0.79
0.91
1.12
1.40
1.72
2.12
2.44
2.85
3.17
3.50
3.93
4.49
4.82
5.24
5.39
5.52
5.40
5.48
5.67
3.04
2.73
2.45
2.15
1.89
1.71
1.56
1.43
1.32
1.25
1.11
0.98
0.86
0.77
0.68
0.66
0.71
0.80
0.92
1.02
1.10
1.16
1.27
1.52
1.83
2.33
2.82
3.36
3.86
4.15
4.38
4.47
4.52
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE722S01 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1B1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE734 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73430 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE722S01 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1B1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE734 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*