參數(shù)資料
型號: NE72218-T2
廠商: NEC Corp.
英文描述: RES-MF 150 OHM 1/4W 1%
中文描述: C到X波段功率放大器C到X波段振蕩N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 2/12頁
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代理商: NE72218-T2
Data Sheet P12750EJ3V0DS00
2
NE72218
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
I
GSO
V
GS
=
5 V
1.0
10
μ
A
Saturated Drain Current
I
DSS
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
30
60
120
mA
Gate to Source Cutoff Voltage
V
GS (off)
V
DS
= 3 V, I
D
= 100
μ
A
0.5
2.0
4.0
V
Transconductance
g
m
V
DS
= 3 V, I
D
= 30 mA
20
45
mS
Phase Noise
PN
V
DS
= 3 V, I
D
= 30 mA, f = 11 GHz,
100 kHz offset
110
dBc/Hz
V
DS
= 3 V, I
D
= 30 mA, f = 11 GHz,
10 kHz offset
90
dBc/Hz
Power Gain
G
S
V
DS
= 3 V, I
D
= 30 mA, f = 12 GHz
4.5
dB
Output Power at 1 dB Gain
Compression Point
P
O (1 dB)
V
DS
= 3 V, I
D
= 30 mA, f = 12 GHz
15.0
dBm
I
DSS
CLASSIFICATION
Rank
I
DSS
(mA)
Marking
57
30 to 120
V57
58
65 to 120
V58
59
30 to 75
V59
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE722S01 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1B1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
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NE73430 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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NE722S01-T1 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1B1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
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