參數(shù)資料
型號： NE72218-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： RES-MF 150 OHM 1/4W 1%
中文描述： C到X波段功率放大器C到X波段振蕩N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： NE72218-T2
Data Sheet P12750EJ3V0DS00
3
NE72218
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, T
A
= +25
°
C)
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
250
T
t
Ambient Temperature T
A
(C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
–0.5 V
–1.0 V
V
GS
= 0 V
100
80
60
40
20
0
1
2
3
4
5
D
D
Drain to Sourcr Voltage V
DS
(V)
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
= 3 V
80
60
40
20
0
–4.0
–2.0
0
D
D
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE722S01 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1B1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE734 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73430 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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參數(shù)描述
NE722S01 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1B1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE734 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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