參數(shù)資料
型號： NE6510179A
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1W L-Band Power GaAs HJ-FET(N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
中文描述： 1W的L波段功率GaAs黃建忠場效應(yīng)管（不適用溝道結(jié)型場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 77K
代理商： NE6510179A
Data Sheet P13496EJ4V0DS00
7
NE6510179A
RECOMMENDED SOLDERING CONDITIONS
This product should be soldered and mounted under the following recommended conditions. For soldering
methods and conditions other than those recommended below, contact your NEC sales representative.
Soldering Method
Soldering Conditions
Recommended Condition Symbol
Infrared Reflow
Package peak temperature: 235°C or below,
Time: 30 seconds or less (at 210°C or higher),
Count: 2 times or less,
Exposure limit: None
Note
IR35-00-2
Partial Heating
Pin temperature: 260°C or below,
Time: 5 seconds or less (per pin row),
Exposure limit: None
Note
–
Note
After opening the dry pack, store it at 25°C or less and 65% RH or less for the allowable storage period.
Caution Do not use different soldering methods together (except for partial heating).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE661M04 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE661M04-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE662M04 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
NE6510179A-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW24 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW26 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW35 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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