參數(shù)資料
型號(hào)： NE6510179A
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1W L-Band Power GaAs HJ-FET(N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 1W的L波段功率GaAs黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管（不適用溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 77K
代理商： NE6510179A
Data Sheet P13496EJ4V0DS00
5
NE6510179A
APPLICATION CIRCUIT EXAMPLE
f = 1.9 GHz (Unit: mm)
Tantalum Condenser
100 F
Tantalum Condenser
47 F
R
g
1 000 p
V
GS
V
DS
/4 OPEN STUB
λ
/4 OPEN STUB
λ
INPUT
OUTPUT
C1
2
5
3
4
3
12
42
39.5
5
4
16
16
2
2
6
3
2
50
LINE
/4 LINE
λ
C2
3
3
5
GND
Substrate: Teflon glass ( r = 2.6)
t = 0.8 mm
f = 1.9 GHz
V
DS
= 3.5 V
I
Dset
= 200 mA (RF OFF)
C1 = 30 pF
C2 = 30 pF
R
g
= 100
APPLICATION CIRCUIT EXAMPLE
f = 900 MHz (Unit: mm)
Tantalum Condenser
100 F
Tantalum Condenser
47 F
R
g
1 000 p
V
GS
V
DS
/4 OPEN STUB
λ
INPUT
OUTPUT
C1
18
2
2
50
LINE
/4 LINE
λ
GND
Substrate: Teflon glass ( r = 2.6)
t = 0.8 mm
f = 900 MHz
V
DS
= 3.5 V
I
Dset
= 200 mA (RF OFF)
C1 = 30 pF
C2 = 30 pF
C3 = 30 pF
C4 = 3 pF
C5 = 8 pF
C6 = 8 pF
C7 = 4 pF
R1 = 30
R
g
= 100
3
12
6
C4
2
1.5
4
3
C5
C7
R1
C3
5
2
11
C2
6
4
1
C6
2
1.5
20
2.5
2
3
31
3
2.5
5
6
/4 OPEN STUB
λ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE661M04 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE661M04-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE662M04 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M04-T2 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M16 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE6510179A-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW24 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW26 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW35 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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