參數(shù)資料
型號(hào)： NE6510179A
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1W L-Band Power GaAs HJ-FET(N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 1W的L波段功率GaAs黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管（不適用溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： NE6510179A
Data Sheet P13496EJ4V0DS00
3
NE6510179A
TYPICAL RF PERFORMANCE FOR REFERENCE
(T
A
= +25°C, unless otherwise specified, using NEC standard test fixture.)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Output Power
P
out
31.5
dBm
Drain Current
I
D
0.53
A
Power Added Efficiency
η
add
70
%
Linear Gain
Note
G
L
f = 900 MHz, V
DS
= 3.5 V,
P
in
= +20 dBm, R
g
= 100
,
I
Dset
= 200 mA (RF OFF)
15.0
dB
Note
P
in
= 0 dBm
TYPICAL RF PERFORMANCE FOR REFERENCE
(T
A
= +25°C, unless otherwise specified, using NEC standard test fixture.)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Output Power
P
out
35.0
dBm
Drain Current
I
D
1.2
A
Power Added Efficiency
η
add
56
%
Linear Gain
Note
G
L
f = 1.9 GHz, V
DS
= 5.0 V,
P
in
= +25 dBm, R
g
= 100
,
I
Dset
= 200 mA (RF OFF)
10.0
dB
Note
P
in
= 0 dBm
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT AND GATE CURRENT vs. INPUT POWER
V
DS
= 3.5 V
I
Dset
= 200 mA (RF OFF)
R
g
= 100
f = 1.9 GHz
35
30
25
20
15
10
30
25
20
15
10
5
0
P
out
O
o
Input Power P
in
(dBm)
I
D
I
G
–2
0
2
4
6
8
1 500
1 000
500
0
G
G
D
D
Remark
The graph indicates nominal characteristics.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE661M04 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE661M04-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE662M04 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M04-T2 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M16 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE6510179A-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW24 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW26 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW35 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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