參數(shù)資料
型號(hào)： NE6510179A
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1W L-Band Power GaAs HJ-FET(N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 1W的L波段功率GaAs黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管（不適用溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： NE6510179A
Data Sheet P13496EJ4V0DS00
4
NE6510179A
S-PARAMETERS
Test Conditions: V
DS
= 3.5 V, I
Dset
= 200 mA (RF OFF)
Frequency
MHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
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159.9
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NE6510179A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW24 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW26 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW35 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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