參數(shù)資料
型號(hào)： NE6510179A
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1W L-Band Power GaAs HJ-FET(N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 1W的L波段功率GaAs黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管（不適用溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 77K
代理商： NE6510179A
Data Sheet P13496EJ4V0DS00
2
NE6510179A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25°C)
Operation in excess of any one of these parameters may result in permanent damage.
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain to Source Voltage
V
DS
8
V
Gate to Source Voltage
V
GSO
–4
V
Drain Current
I
D
2.8
A
Gate Forward Current
I
GF
25
mA
Gate Reverse Current
I
GR
25
mA
Total Power Dissipation
P
tot
15
W
Channel Temperature
T
ch
150
°C
Storage Temperature
T
stg
–65 to +150
°C
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Parameter
Symbol
Test Condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
V
DS
3.5
5.5
V
Gain Compression
Gcomp
5.0
Note
dB
Channel Temperature
T
ch
+110
°C
Note
Recommended maximum Gain Compression is 3.0 dB at V
DS
> 4.2 V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise specified, using NEC standard test fixture.)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Saturated Drain Current
I
DSS
V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
2.4
A
Pinch-off Voltage
V
p
V
DS
= 2.5 V, I
D
= 14 mA
–2.0
–0.4
V
Gate to Drain Break Down
Voltage
BV
gd
I
gd
= 14 mA
12
V
Thermal Resistance
R
th
Channel to Case
5
8
°C/W
Output Power
P
out
31.5
32.5
dBm
Drain Current
I
D
0.72
A
Power Added Efficiency
η
add
50
58
%
Linear Gain
Note 1
G
L
f = 1.9 GHz, V
DS
= 3.5 V,
P
in
= +25 dBm, R
g
= 100
,
I
Dset
= 200 mA (RF OFF)
Note 2
10.0
dB
Notes 1.
P
in
= 0 dBm
2.
DC performance is 100% testing. RF performance is testing several samples per wafer.
Wafer rejection criteria for standard devices is 1 reject for several samples.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE661M04 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE661M04-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE662M04 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M04-T2 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M16 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE6510179A-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW24 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW26 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW35 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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