參數(shù)資料
型號： NE6500496
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-Channel GaAs MES FET(N溝道砷化鎵MES場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管（不適用溝道砷化鎵MES的場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： NE6500496
NE6500496
4
S-PARAMETER
V
DS
= 9.0 V, I
DS
= 400 mA, V
GS
= –1.619 V, I
G
= 0.0 mA
FREQUENCY
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
0.100
0.200
0.300
0.400
0.500
0.600
0.700
0.800
0.900
1.000
1.100
1.200
1.300
1.400
1.500
1.600
1.700
1.800
1.900
2.000
2.100
2.200
2.300
2.400
2.500
2.600
2.700
2.800
2.900
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
0.978
0.957
0.951
0.949
0.947
0.947
0.946
0.946
0.946
0.945
0.945
0.946
0.945
0.944
0.945
0.944
0.943
0.944
0.943
0.944
0.944
0.945
0.945
0.945
0.944
0.944
0.945
0.947
0.947
0.946
0.947
0.950
0.941
0.933
–80.0
–118.9
–137.8
–148.5
–155.4
–160.2
–163.9
–166.8
–169.2
–171.2
–173.1
–174.5
–175.9
–177.1
–178.2
–179.4
179.6
178.6
177.7
176.8
175.9
175.2
174.3
173.5
172.7
172.0
171.2
170.4
169.6
168.7
164.9
160.5
155.3
149.6
17.314
11.458
8.252
6.388
5.188
4.368
3.769
3.319
2.963
2.679
2.438
2.251
2.087
1.947
1.828
1.720
1.627
1.547
1.468
1.404
1.345
1.296
1.245
1.201
1.163
1.131
1.087
1.054
1.028
1.008
0.901
0.840
0.810
0.795
137.4
116.5
105.7
98.8
93.9
90.0
86.6
83.6
80.8
78.2
75.5
73.4
71.2
69.0
67.0
64.7
62.6
60.5
58.7
56.4
54.6
52.7
50.8
48.6
46.8
45.2
43.7
41.6
39.6
37.7
29.5
20.9
11.9
1.5
0.010
0.015
0.016
0.016
0.017
0.017
0.017
0.018
0.018
0.019
0.020
0.020
0.021
0.021
0.022
0.023
0.024
0.024
0.025
0.026
0.027
0.028
0.030
0.031
0.031
0.034
0.035
0.036
0.037
0.039
0.046
0.056
0.059
0.069
60.2
36.4
30.0
29.0
29.1
27.5
29.5
31.0
32.8
33.7
34.9
35.7
36.8
38.6
39.5
40.5
41.8
41.8
43.8
43.8
45.8
46.4
47.4
45.8
47.2
49.1
48.7
47.5
46.7
47.2
46.8
41.3
37.4
33.4
0.612
0.667
0.687
0.695
0.700
0.704
0.705
0.707
0.709
0.710
0.711
0.711
0.714
0.715
0.716
0.715
0.716
0.721
0.718
0.719
0.722
0.728
0.725
0.726
0.734
0.742
0.737
0.738
0.745
0.757
0.766
0.771
0.776
0.792
–172.8
–175.2
–177.6
–179.7
178.8
177.4
176.2
175.1
174.0
173.0
172.2
171.2
170.3
169.4
168.5
167.5
166.2
165.4
164.5
163.2
162.0
161.1
160.4
158.7
157.4
156.8
156.1
154.5
153.3
152.3
148.8
144.2
138.0
130.8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE650103M NECS 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
NE6501077 10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE6510179A 1W L-Band Power GaAs HJ-FET(N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
NE661M04 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE661M04-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE6500496_00 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L&S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE650103M 功能描述:射頻GaAs晶體管 RO 551-NE650103M-A RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE650103M-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6501077 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6501077_00 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*