參數(shù)資料
型號(hào)： NE6500496
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-Channel GaAs MES FET(N溝道砷化鎵MES場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道砷化鎵MES的場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 32K
代理商： NE6500496
1996
PRELIMINARY DATA SHEET
GaAs MES FET
NE6500496
4 W L, S-BAND POWER GaAs FET
N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE6500496 is power GaAs FET which provides high
gain, high efficiency and high output power in L, S band.
To reduce thermal resistance, the device has a PHS
(Plated Heat Sink) structure.
FEATURES
Class A operation
High output power: 36 dBm (typ)
High gain: 11.5 dB (typ)
High power added efficiency: 45 % (typ)
Hermetically sealed ceramic package
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
Drain to Source Voltage
Gate to Drain Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Gate Current
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Temperature Cycling
V
DSX
V
GDX
V
GSX
I
D
I
G
P
T
(
*
)
T
ch
T
stg
T
∞
15
–18
–12
4.5
25
25
175
V
V
V
A
mA
W
C
C
C
–65 to +175
–40 to +120
*
T
C
= 25 C
Caution
Please handle this device at a static-free workstation, because this is an electrostatic sensitive
device.
Document No. P10971EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
4.0 MIN BOTHLEADS
SOURCE
GATE
DRAIN
0.6 ±0.1
5.2 ±0.3
11.0 ±0.3
15.0 ±0.3
6.0 ±0.2
0.1
1.2
0.2 MAX.
1.0 ± 0.1
2.2 ±0.3
2 SLACES
φ
4.3 ±0.2
1.7 ±0.15
4.0
5.0 MAX.
PACKAGE DIMENSION (UNIT: mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE650103M NECS 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
NE6501077 10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE6510179A 1W L-Band Power GaAs HJ-FET(N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
NE661M04 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE661M04-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE6500496_00 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L&S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE650103M 功能描述:射頻GaAs晶體管 RO 551-NE650103M-A RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE650103M-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6501077 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6501077_00 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*