參數(shù)資料
型號： NE6500496
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-Channel GaAs MES FET(N溝道砷化鎵MES場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管（不適用溝道砷化鎵MES的場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： NE6500496
NE6500496
2
MAXIMUM OPERATION RANDGE
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain to Source Voltage
V
DS
–
10
10
V
Channel Temperature
T
ch
–
–
130
C
Input Power
Gcomp
–
–
3
dBcomp
Gate Resistance
Rg
–
–
200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Saturated Drain Current
Idss
1.0
2.3
3.5
A
Vds = 1.5 V, Vgs = 0 V
Pinch-off Voltage
V
P
–3.5
–2.0
–0.5
V
Vds = 2.5 V, Ids = 15 mA
Transconductance
gm
–
1300
–
mS
Vds = 2.5 V, Ids = 1 A
Thermal Resistance
R
th
–
6.0
6.5
C/W
channel to case
PERFORMANCE SPECIFICATIONS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Output Power
P
out
35.5
36.0
–
dBm
Gate to Source Current
Igs
–5
–
5
mA
Power Added Efficiency
η
add
–
45
–
%
Linear Gain
G
L
11.0
11.5
–
dB
Pin
≤
20 dBm (
*
)
*
The other are the same as the above conditions.
f = 2.3 GHz, Vds = 10 V
Ids
≤
0.4 A, Pin = 26.0 dBm
Rg = 200
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PDF描述
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NE661M04-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
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NE6501077_00 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
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