參數(shù)資料
型號: NE42484C
廠商: NEC Corp.
英文描述: Super Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(超低噪聲放大器N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
中文描述: 超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管(超低噪聲放大器?溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
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代理商: NE42484C
NE42484C
8
<Noise Parameters>
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
Freq.
(GHz)
NF
min.
(dB)
Ga
(dB)
Γ
opt.
R
n
/50
MAG.
ANG.
2.0
0.32
19.5
0.85
18
0.32
4.0
0.36
17.6
0.84
46
0.28
6.0
0.43
16.0
0.81
72
0.21
8.0
0.50
14.4
0.78
98
0.13
10.0
0.58
13.1
0.73
123
0.07
12.0
0.70
12.0
0.68
148
0.04
14.0
0.86
11.4
0.62
172
0.02
16.0
1.03
11.2
0.55
–166
0.03
18.0
1.20
11.0
0.48
–141
0.06
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE425S01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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NE425S01-T1B C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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參數(shù)描述
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NE425S01_98 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE425S01-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE425S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE425S01-T1B-A 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET N-CH 4V 90mA 4-Pin Case S01 T/R