參數(shù)資料
型號: NE42484C
廠商: NEC Corp.
英文描述: Super Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(超低噪聲放大器N溝道結型場效應管)
中文描述: 超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應管(超低噪聲放大器?溝道結型場效應管)
文件頁數(shù): 3/10頁
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代理商: NE42484C
NE42484C
3
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs.
FREQUENCY
f – Frequency – GHz
N
5
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs. RATIO
OF DRAIN CURRENT TO ZERO-GATE
VOLTAGE CURRENT
3
I
D
/I
DSS
– Ratio of Drain Current to Zero-Gate Voltage Current – %
N
1
1
4
3
2
1
0
2
4
6
8 10
14
20
30
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
24
20
16
12
8
4
G
Ga
NF
2
1
0
2
4
6 810
20
40 60
100
G
15
10
5
0
V
= 2 V
f = 12 GHz
Ga
NF
相關PDF資料
PDF描述
NE425S01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE425S01-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE425S01-T1B C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NE425S01 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE425S01_98 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE425S01-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE425S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE425S01-T1B-A 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET N-CH 4V 90mA 4-Pin Case S01 T/R