參數資料
型號: NE32584C-T1A
廠商: NEC Corp.
英文描述: C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述: C到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應管
文件頁數: 4/12頁
文件大?。?/td> 73K
代理商: NE32584C-T1A
4
NE32584C
S-PARAMETERS
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
START 2 GHz, STOP 18 GHz, STEP 500 MHz
S
12
R
max.
= 0.25
+90°
–90°
+45°
0
–45°
R
max.
= 5
–135°
±180°
+135°
1
5
2
4
3
S
11
R
max.
= 1
1.0
–1.0
2.0
0.5
–2.0
–0.5
0
1
5
2
3
4
S
22
R
max.
= 1
1.0
–1.0
2.0
0.5
–2.0
–0.5
0
1
5
2
3
4
S
21
+90°
–90°
+45°
0
–45°
–135°
±180°
+135°
1
5
2
3
4
Marker
1 : 4 GHz
2 : 8 GHz
3 : 12 GHz
4 : 16 GHz
5 : 18 GHz
相關PDF資料
PDF描述
NE325S01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE325S01-T1B C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE334S01-T1 C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE334S01-T1B LED 3MM QUAD YEL/GRN BICLR PCMNT
NE334S01 Low Noise Amplifier N-Channeal HJ-FET(低噪聲放大器N溝道 JFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
NE32584C-T1A-A 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC
NE325S01 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE325S01_02 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE325S01-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE325S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: