參數(shù)資料
型號(hào)： NE32584C-T1A
廠商： NEC Corp.
英文描述： C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大小： 73K
代理商： NE32584C-T1A
3
NE32584C
21
~
~
S
12
~
Gain Calculations
~
S
~
1 +
~'~
2
e
~
S
11
~
2
e
~
S
22
~
2
MSG. =
K =
~
S
12
~
2
~
S
12
~~
S
21
~
MAG. = S
r
K
2
e
1)
'
= S
11
S
22
e
S
21
S
12
1.0
24
20
16
12
8
4
0.5
0
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs.
FREQUENCY
f - Frequency - GH
Z
V
= 2 V
I
D
= 10 mA
G
a
NF
N
G
a
1
30
14
10
8
6
4
20
2
14
13
12
11
10
0.5
1.0
1.5
2.0
0
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - mA
V
= 2 V
f = 12 GH
Z
G
a
NF
N
G
a
30
20
10
—
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE325S01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE325S01-T1B C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE334S01-T1 C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE334S01-T1B LED 3MM QUAD YEL/GRN BICLR PCMNT
NE334S01 Low Noise Amplifier N-Channeal HJ-FET(低噪聲放大器N溝道 JFET)
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參數(shù)描述
NE32584C-T1A-A 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC
NE325S01 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE325S01_02 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE325S01-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE325S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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