參數(shù)資料
型號(hào)： NDT452AP(J23Z)
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| P通道| 30V的五（巴西）直| 5A條（?。﹟的SOT - 223
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 92K
代理商： NDT452AP(J23Z)
NDT452AP Rev. B1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = -250μA
B
D
0
0.4
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.8
1.2
1.6
2
0.001
0.01
0.1
1
5
10
20
-
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -5.0A
V = -5V
-10V
-20V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
100
200
300
500
1000
2000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
D
S
-V
DD
R
L
V
OUT
V
GS
DUT
V
IN
R
GEN
G
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
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PDF描述
NDT452AP P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5A，-30V，0.065Ω）(P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-5A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.065Ω）)
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