參數(shù)資料
型號： NDT452AP(J23Z)
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| P通道| 30V的五（巴西）直| 5A條（?。﹟的SOT - 223
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 92K
代理商： NDT452AP(J23Z)
NDT452AP Rev. B1
-4
-3
-2
-1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0
-20
-15
-10
-5
0
I
D
V = -10V
-4.0
-6.0
-5.0
-3.5
-3.0
-4.5
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -10V
I = -5.0A
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -3.5V
-10
-5.0
-6.0
- 4.0
-4.5
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-20
-15
-10
-5
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
TJ
25°C
125°C
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.5
1
1.5
2
ID
D
R
D
V = -10V
J
25°C
-55°C
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PDF描述
NDT452AP P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5A，-30V，0.065Ω）(P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流-5A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.065Ω）)
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