參數資料
型號： NDT014L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.8A，60V，0.2Ω）(N溝道邏輯增強型場效應管（漏電流2.8A, 漏源電壓60V，導通電阻0.2Ω）)
中文描述： 2.8 A, 60 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數： 5/10頁
文件大小： 229K
代理商： NDT014L
NDT014L Rev.D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
S
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
20V
I = 2.8A
V = 5V
10V
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
40
60
10
20
50
100
200
500
700
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms
.
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關PDF資料
PDF描述
NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.7A，60V，0.2Ω）(N溝道增強型場效應管（漏電流2.7A, 漏源電壓60V，導通電阻0.2Ω）)
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