參數(shù)資料
型號(hào)： NDT014L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.8A，60V，0.2Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.8A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
中文描述： 2.8 A, 60 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 229K
代理商： NDT014L
NDT014L Rev.D
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
V = 10V
D
3.0
2.5
3.5
4.0
5.0
6.0
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
R
D
V = 4.5V
I = 2.8A
0
2
4
6
8
10
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V =3.0V
4.5
5.0
3.5
4.0
10
6.0
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
V = 5V
J
125°C
0
2
4
6
8
10
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 4.5V
J
25°C
-55°C
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
V
G
I = 250μA
V = V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.7A，60V，0.2Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.7A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
NDT014(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
NDT2955 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.5A，-60V，0.3Ω）(P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-2.5A, 漏源電壓-60V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
NDT2955(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-223
NDT3055L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（4A，60V，0.1Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流4A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.1Ω）)
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