參數(shù)資料
型號： NDS9956A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.7A，30V，0.08Ω）(雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流3.7A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.08Ω）)
中文描述： 3.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 341K
代理商： NDS9956A
NDS9956A.SAM
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
0.5
1
5
10
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
J
25°C
-55°C
V = 0V
0
2
4
Q , GATE CHARGE (nC)
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
V
G
I = 3.7A
20V
15V
V = 10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
100
200
300
500
800
1000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V =10V
125°C
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
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