參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9936
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5 A, 30 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 343K
代理商： NDS9936
NDS9936.SAM
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
I
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 5A
V = 15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
200
300
500
1000
1500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
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PDF描述
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