參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9936
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5 A, 30 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 343K
代理商： NDS9936
NDS9936.SAM
0
1
2
3
0
6
12
18
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V =10V
6.0 5.0 4.5
4.0
3.5
2.5
3.0
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 10V
I = 5A
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
0
2
4
6
8
10
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.5V
R
D
4.0
6.0
10
4.5
5.0
0
2
4
6
8
10
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 4.5 V
4.5V
10V
4.5V
10V
10V
R
D
J
25
-55
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = 15V
TJ
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NDS9945 功能描述:MOSFET Dl N-Ch Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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