參數(shù)資料
型號(hào)： NDS356
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： P溝道增強(qiáng)模式的邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
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代理商： NDS356
NDS356AP Rev.C
1
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
.
Typical Electrical Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics
.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
-8
-6
-4
-2
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -4.5V
J
25°C
-55°C
-5
-4
-3
-2
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-1
-5
-4
-3
-2
-1
0
I
V = -10V
D
TJ
125°C
25°C
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
V
G
I =- 250μA
V = V
GS
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -4.5V
I = -1.1A
-5
-4
-3
-2
-1
0
-10
-8
-6
-4
-2
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
-3.0
-3.5
-5.0
-4.5
-4.0
-6.0
-5.5
-7.0
-10
-8
-6
-4
-2
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -3.5 V
R
D
-10
-5.5
-6.0
-4.5
-4.0
-5.0
-7.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS356P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-1.1A，-20V，0.3Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-1.1A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
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NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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