參數(shù)資料
型號(hào)： NDS356
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： P溝道增強(qiáng)模式的邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
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代理商： NDS356
NDS356AP Rev.C
1
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics
.
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
D
I = -250μA
B
D
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.5
1
2
5
-
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
S
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
50
100
200
300
400
600
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
-15V
I = -1.1A
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS356P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-1.1A，-20V，0.3Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-1.1A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
NDS7002 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管)
NDS8410A Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8410S Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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