參數(shù)資料
型號(hào)： NDP6020
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 35 A, 20 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 376K
代理商： NDP6020
NDP6020 Rev.C
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
F
V = 5V
125°C
25°C
Figure 13. Transconductance Variation with
Drain Current and Temperature
.
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
.
Figure 15. Transient Thermal Response Curve.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.5
1
2
3
5
10
20
30
2
5
10
20
50
100
150
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
RDS(ON) LIMIT
DC
10us
10ms
1ms
100us
V = 4.5V
SINGLE PULSE
R = 2.5 °C/W
T = 25°C
JC
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 2.5 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
0.01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（52A,30V，0.00135Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流52A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.0135Ω）)
NDB6030PL P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-30A,-30V，0.042Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-30A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
NDB6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
NDB6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDP6020P 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP6020P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220
NDP6020P_Q 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP6030 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP6030L 功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*