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參數(shù)資料
| 型號： | NDP6020 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 35 A, 20 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 376K |
| 代理商： | NDP6020 |
TO-263AB/D
2
PAK (FS PKG Code 45)
TO-263AB/D
2
PAK Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
August 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 1.4378
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDB6030L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（52A,30V，0.00135Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管（漏電流52A, 漏源電壓30V，導通電阻0.0135Ω）) |
| NDB6030PL | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-30A,-30V，0.042Ω）(P溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流-30A, 漏源電壓-30V，導通電阻0.042Ω）) |
| NDB6050L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDP6050L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導通電阻0.025Ω）) |
| NDB6050 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NDP6020P | 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDP6020P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220 |
| NDP6020P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDP6030 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDP6030L | 功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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