參數(shù)資料
型號(hào)： NDH832P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-4.2A，-20V，0.06Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-4.2A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.06Ω）)
中文描述： 4200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： NDH832P
NDH832P Rev. B2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = -250μA
B
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
2
10
20
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
J
25°C
-55°C
V = 0V
S
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -4.2A
V = -5.0V
-10V
-15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
100
200
300
500
1000
2000
2500
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
-20
-16
-12
-8
-4
0
0
5
10
15
20
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
25°C
125°C
F
V = -10V
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDH833N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH834P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5.6A，-20V，0.035Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-5.6A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
NDH8436 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDH8502P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.2A，-30V，0.11Ω）(雙P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-2.2A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.11Ω）)
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參數(shù)描述
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NDH834P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH8436 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH8447 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
NDH8502P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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