參數(shù)資料
型號(hào)： NDH8321C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(雙N溝道和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N溝道：漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導(dǎo)通電阻0.035Ω；P溝道：漏電流-2.7A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.07Ω）)
中文描述： 3800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 251K
代理商： NDH8321C
NDH8321C Rev.C1
-4
-3
-2
-1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0
-15
-12
-9
-6
-3
0
I
D
-3.5
-2.0
-3.0
-2.5
-1.5
V =-4.5V
-2.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
R
D
V = -4.5V
I = -2.7A
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
V
G
I = -250μA
V = V
GS
-15
-12
-9
-6
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
-2.7
-4.5
-2.5
-3.0
-3.5
V = -2.0V
-15
-12
-9
-6
-3
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -4.5V
TJ
25°C
-55°C
Typical Electrical Characteristics: P-Channel (continued)
Figure 12. P-Channel On-Region Characteristics.
Figure 13. P-Channel On-Resistance Variation
with Gate Voltage and Drain Current.
Figure 14. P-Channel On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 15. P-Channel On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature.
Figure 16. P-Channel Transfer Characteristics.
Figure 17. P-Channel Gate Threshold Variation
with Temperature.
-2.5
-2
-1.5
-1
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-0.5
-8
-6
-4
-2
0
I
D
V = -5V
TJ
125°C
25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NDH833N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDH833N 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH834P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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