參數(shù)資料
型號(hào)： NDH8321C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(雙N溝道和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N溝道：漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導(dǎo)通電阻0.035Ω；P溝道：漏電流-2.7A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.07Ω）)
中文描述： 3800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 251K
代理商： NDH8321C
NDH8321C Rev.C1
Figure 7. N-Channel Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
Figure 8. N-Channel Body Diode Forward
Voltage Variation with Current and
Temperature
.
Figure 9. N-Channel Capacitance
Characteristics.
Figure 10. N-Channel Gate Charge
Characteristics.
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
(continued)
Figure 11. N-Channel Transconductance Variation
with Drain Current and Temperature.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
D
B
D
I = 250μA
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
D
B
D
I = 250μA
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 3.8A
V = 5V
10V
15V
0.1
0.2
0.5
1
3
5
10
20
100
200
300
500
1000
1500
2000
2500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
0
4
8
12
16
20
0
5
10
15
20
25
30
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
F
V = 5V
125°C
25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDH832P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-4.2A，-20V，0.06Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-4.2A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.06Ω）)
NDH833N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDH833N 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH834P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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