參數(shù)資料
型號(hào)： NDC632
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： P溝道增強(qiáng)模式的邏輯電平場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： NDC632
NDC632P Rev. B1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = -250μA
B
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
15
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
TJ
25°C
-55°C
V =0V
S
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -2.7A
V = -5V
-10V
-15V
0.1
0.2
0.5
1
5
10
15 20
50
100
200
300
500
1000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
D
S
-V
DD
R
L
V
OUT
V
GS
DUT
V
IN
R
GEN
G
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
Figure 9. Capacitance Characteristics
.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDC632P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7001 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDC632P 功能描述:MOSFET P-Channel FET LL Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC632P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6
NDC632P_F095 功能描述:MOSFET -20V -2.7A P-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC651N 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC651N_F095 功能描述:MOSFET 30V 3.2A N-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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