參數(shù)資料
型號(hào)： NDC632
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： P溝道增強(qiáng)模式的邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
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代理商： NDC632
NDC632P Rev. B1
-5
-4
-3
-2
-1
0
-15
-12
-9
-6
-3
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
-3.0
V =-5V
-3.5
-2.5
-2.0
-2.7
-4.0
-4.5
-15
-12
-9
-6
-3
0
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V =-2.5V
-2.7
R
D
-3.0
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -4.5V
I = -2.7A
R
D
-15
-12
-9
-6
-3
0
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V =-4.5 V
TJ
25°C
-55°C
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
-5
-4
-3
-2
-1
0
-15
-12
-9
-6
-3
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V =- 5V
DS
TJ
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = -250μA
D
V = V
GS
V
t
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDC632P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7001 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDC632P 功能描述:MOSFET P-Channel FET LL Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC632P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6
NDC632P_F095 功能描述:MOSFET -20V -2.7A P-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC651N 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC651N_F095 功能描述:MOSFET 30V 3.2A N-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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