參數(shù)資料
型號(hào)： NDC631N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 4100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 246K
代理商： NDC631N
NDC631N Rev.D1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
B
D
I = 250μA
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
10
I
S
J
25°C
-55°C
V =0V
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
3
6
9
12
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 4.1A
D
V = 5V
10V
15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
300
600
1000
1500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C s
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 9. Capacitance Characteristics
.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms
.
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDC632 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC632P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDC631N_D87Z 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC631N_F095 功能描述:MOSFET 20V 4.1A N-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC632 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC632P 功能描述:MOSFET P-Channel FET LL Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC632P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6
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