參數(shù)資料
型號(hào)： NDC631N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 4100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 246K
代理商： NDC631N
NDC631N Rev.D1
0
1
2
3
0
3
6
9
12
15
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
V = 4.5V
3.0V
D
1.5V
2.0V
2.7V
2.5V
0
3
6
9
12
15
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V =2.0V
4.5V
2.5V
3.5V
2.7V
3.0V
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
.
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
R
D
V = 4.5V
I = 4.1A
0
3
6
9
12
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 4.5V
J
25°C
-55°C
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
3
6
9
12
15
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
25°C
125°C
V =- 5V
DS
D
J
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
G
V
t
I = 250μA
V = V
GS
Figure 5. Transfer Characteristics
.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDC632 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC632P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDC632P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6
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