參數(shù)資料
型號(hào)： NDB6020
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（35A,20V，0.023Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流35A, 漏源電壓20V，導(dǎo)通電阻0.023Ω）)
中文描述： 35 A, 20 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 376K
代理商： NDB6020
Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
I
S
I
SM
V
SD
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
35
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
100
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 35 A
(Note 1)
V
GS
= 0 V, I
= 35 A,
dI
F
/dt = 100 A/μs
1.1
1.3
V
t
rr
Reverse Recovery Time
43
90
ns
I
rr
THERMAL CHARACTERISTICS
Reverse Recovery Current
1.1
3
A
R
θ
JC
R
θ
JA
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
Thermal Resistance, Junction-to-Case
2.5
°
C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
62.5
°
C/W
NDP6020 Rev.C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP6020 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDB6030PL P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-30A,-30V，0.042Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-30A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
NDB6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDB6020P_Q 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB603 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDB6030L 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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