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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX28F2100BTC-70 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 12V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/45頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | MX28F2100BTC-70 |
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6
MX28F2100B
P/N: PM0382
REV. 1.5, MAR. 24, 1998
TABLE 2. MX28F2100B BUS OPERATION
Pins
A0
A9
CE
OE
WE
VPP
Data I/O
Mode
D0~D7
D8~D14
D15/A-1
Read
A0
A9
VIL
VIL
VIH
VPPL
Data Out
Hi-Z
A-1
Output Disable
X
X
VIL
VIH VIH
VPPL
Hi-Z
Hi-Z
X
Byte
Read-Only
Standby
X
X
VIH
X
X
VPPL
Hi-Z
Hi-Z
X
Mode
Read Silicon ID(Mfr)(2)
VIL
VID(3) VIL
VIL
VIH
VPPL
Data=C2H
Hi-Z
VIL
BYTE
Read Silicon ID(Device)(2) VIH VID(3) VIL
VIL
VIH
VPPL
Data=2BH
Hi-Z
VIL
= L
Read
A0
A9
VIL
VIL
VIH
VPPH Data Out(4)
Hi-Z
A-1
Read/Write
Output Disable
X
X
VIL
VIH VIH
VPPH
Hi-Z
Hi-Z
X
Standby(5)
X
X
VIH
X
X
VPPH
Hi-Z
Hi-Z
X
Write
A0
A9
VIL
VIH
VIL
VPPH
Data In(6)
X
A-1
Read
A0
A9
VIL
VIL
VIH
VPPL
Data Out
Data Out
Data Out
Read-Only
Output Disable
X
X
VIL
VIH VIH
VPPL
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Word
Standby
X
X
VIH
X
X
VPPL
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Mode
Read Silicon ID(Mfr)(2)
VIL
VID(3) VIL
VIL
VIH
VPPL
Data=C2H Data=00H(8)
0B
BYTE
Read Silicon ID(Device)(2) VIH VID(3) VIL
VIL
VIH
VPPL
Data=2BH Data=00H(8)
0B
= H
Read
A0
A9
VIL
VIL
VIH
VPPH Data Out(4)
Data Out
Data Out
Read/Write
Output Disable
X
X
VIL
VIH VIH
VPPH
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Standby(5)
X
X
VIH
X
X
VPPH
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Write
A0
A9
VIL
VIH
VIL
VPPH
Data In(6)
Data In(6) Data In(6)
NOTES:
1. VPPL may be grounded, a no-connect with a resistor tied
to ground, or < VCC + 2.0V. VPPH is the programming
voltage specified for the device. When VPP = VPPL,
memory contents can be read but not written or erased.
2. Manufacturer and device codes may also be accessed
via a command register write sequence. Refer to Table
1. All other addresses are low.
3. VID is the Silicon-ID-Read high voltage, 11.5V to 13V.
4. Read operations with VPP = VPPH may access array
data or Silicon ID codes.
5. With VPP at high voltage, the standby current equals ICC
+ IPP (standby).
6. Refer to Table 1 for valid Data-In during a write operation.
7. X can be VIL or VIH.
8. Includes D15
Pins
A0 D15 D14 D13 D12 D11 D10 D9
D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
Code(Hex)
Code
BYTE
Manufacture code
VIL VIL
---
---
---
---
---
---
---
1
1
0
0
0
0
1
0
C2H
= L
Device code
VIH VIL
---
---
---
---
---
---
---
0
0
1
0
1
0
1
1
2BH
BYTE
Manufacture code
VIL
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
0
00C2H
= H
Device code
VIH
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
1
002BH
TABLE 3. SILICON ID CODE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX28F2100BMC-12 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BMC-70 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BMC-90 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BTC-90 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MX28F4000MC-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| MX28F4000MC-20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| MX28F4000PC-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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