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參數(shù)資料
| 型號： | MX28F2100BTC-70 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 12V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 23/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | MX28F2100BTC-70 |
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23
MX28F2100B
P/N: PM0382
REV. 1.5, MAR. 24, 1998
AUTOMATIC CHIP ERASE TIMING WAVEFORM
All data in chip are erased. External erase verify is not
required because data is erased automatically by internal
control circuit. Erasure completion can be verified by
Status register contents after automatic erase starts.
AUTOMATIC CHIP ERASE TIMING WAVEFORM-BYTE MODE
tCWC
tCEP
tOES
tCEP
tCES
tDS
tDH
tDH
tDS
tDF
Vcc 5V
CE
OE
12V
Vpp
0V
tVPH
DATA
Q0~Q2
Auto Erase
Setup Auto Chip Erase/
Erase command
WE
ADD
A-1~16
tCEPH1
tDPA
tVPS
Vaild SRD
tCS
tCS
tCH
tCH
tCESP
tCESC
VIH
VIL
BYTE
DATA
Q3~Q7
DATA
Q8~Q14
tAETC
Command In
NOTE:
Erase Suspend and Read Array modes are not included in this waveform.
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
30H
30H
High Z
Command In
Command In
Command In
RP
tPHEL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX28F2100BMC-12 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BMC-70 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BMC-90 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BTC-90 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F4100 | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX28F2100BTC-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F4000MC-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| MX28F4000MC-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| MX28F4000MC-20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| MX28F4000PC-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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