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參數(shù)資料
| 型號： | MX28F2100BTC-70 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 12V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 16/45頁 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | MX28F2100BTC-70 |
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16
MX28F2100B
P/N: PM0382
REV. 1.5, MAR. 24, 1998
AC CHARACTERISTICS
TA = 0
o
C to 70
o
C, VCC = 5V
±
10%, VPP =12V
±
7%
28F2100B-70 28F2100B-90 28F2100B-12
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX. MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS
tVPS
VPP setup time
100
100
100
ns
tPHEL
1000
1000
1000
ns
tOES
OE setup time
100
100
100
ns
tCWC
Command programming cycle
70
90
120
ns
tCEP
WE programming pulse width
50
50
50
ns
tCEPH1
WE programming pluse width High
20
20
20
ns
tCEPH2
WE programming pluse width High
100
100
100
ns
tAS
Address setup time
0
0
0
ns
tAH
Address hold time
45
50
50
ns
tDS
Data setup time
45
50
50
ns
tDH
Data hold time
10
10
10
ns
tCES
CE setup time
0
0
0
ns
tCESC
CE setup time before command write
100
100
100
ns
tCESV
CE setup time before verify
6
6
6
us
tVPH
VPP hold time
100
100
100
ns
tDF
Output disable time (Note 2)
20
30
30
ns
tVA
Verify access time
70
90
120
ns
tAETC
Total erase time in auto chip erase
5(TYP.)
5(TYP.)
5(TYP.)
s
tAETB
Total erase time in auto block erase
1(TYP.)
1(TYP.)
1(TYP.)
s
tAVT
Total programming time in auto verify
50
1600
50
1600
50
1600
us
tET
Standby time in erase
10
10
10
ms
tBALC
Block address load cycle
0.3
30
0.3
30
0.3
30
us
tBAL
Block address load time
100
100
100
us
tCH
CE Hold Time
0
0
0
ns
tCS
CE setup to WE going low
0
0
0
ns
NOTES:
1. CE and OE must be fixed high during VPP transition from 5V to 12V or from 12V to 5V.
2. tDF defined as the time at which the output achieves the open circuit condition and data is no longer driven.
3. tPHEL: RP high recovery to CE going low: 500ns, Max 1000ns.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX28F2100BMC-12 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BMC-70 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BMC-90 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BTC-90 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F4100 | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX28F2100BTC-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F4000MC-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| MX28F4000MC-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| MX28F4000MC-20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| MX28F4000PC-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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