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參數(shù)資料
| 型號： | MX28F2100BTC-70 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 12V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 26/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | MX28F2100BTC-70 |
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26
MX28F2100B
P/N: PM0382
REV. 1.5, MAR. 24, 1998
AUTOMATIC BLOCK ERASE TIMING WAVEFORM
Block data (refer to page 1 for block structure) are erased.
External erase verify is not required because data are
erased automatically by internal control circuit. Erasure
completion can be verified by status register contents
after automatic erase starts.
AUTOMATIC BLOCK ERASE TIMING WAVEFORM-BYTE MODE
Vcc 5V
tCEP
tOES
tDF
Command in
OE
Command in
Command in
Command in
tCESC
tDS
tDH
tDS
tDH
aBlock
aBlock
tCWC
tBALC
tCEP
12V
Vpp
0V
aBlock
Command #20H Command #D0H
tVPH
tBAL
tAETB
Q3~Q7
Q0~Q2
Auto block erase & Status register read
A-1~ A16
CE
WE
tCEPH2
tCEPH1
Setup auto block erase/erase command
tVPS
tAH
tAS
PBYTE
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
RP
tPHEL
Valid Data
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX28F2100BMC-12 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BMC-70 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BMC-90 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F2100BTC-90 | 2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F4100 | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX28F2100BTC-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8/128K x 16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX28F4000MC-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| MX28F4000MC-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| MX28F4000MC-20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| MX28F4000PC-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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