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參數(shù)資料
| 型號： | MTD6N20ET5G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | MTD6N20ET5G |
MTD6N20E
http://onsemi.com
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MTD6N20ET4G
DPAK
(PbFree)
2500 Tape & Reel
MTD6N20ET5G
DPAK
(PbFree)
2500 Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD6P10E-T4 | 6 A, 100 V, 0.66 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD6P10ET4 | 6 A, 100 V, 0.66 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD9N10ET4 | 9 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTDF2N06HDR2 | 1500 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTH13N50 | 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTD6P10E | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MTD6P10ET4 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| MTD7030 | 制造商:MARKTECH 制造商全稱:Marktech Corporate 功能描述:PHOTO DIODE |
| MTD7030A | 制造商:MARKTECH 制造商全稱:Marktech Corporate 功能描述:PHOTO DIODE |
| MTD8000M3B-T | 制造商:Marktech Optoelectronics 功能描述:PHOTOTRANS 880NM DOME 3MM |
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