參數(shù)資料
型號： MTD6N20ET5G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： MTD6N20ET5G
MTD6N20E
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
DS(on)
,DRAIN-T
O-SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAIN-T
O-SOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
R
DS(on)
,DRAIN-T
O-SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
TJ = 25°C
VDS ≥ 10 V
TJ = -55°C
25
°C
TJ = 100°C
VGS = 0 V
VGS = 10 V
ID = 3 A
9 V
8 V
7 V
6 V
5 V
100
°C
VGS = 10 V
25
°C
-55
°C
TJ = 25°C
VGS = 10 V
15 V
TJ = 125°C
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
6
4
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
0.70
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
100
1
01
23
4
5
6
7
8
9
2
3
4
5
6
7
8
9
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
0.4
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
10
25
°C
100
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD6P10E-T4 6 A, 100 V, 0.66 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD6P10ET4 6 A, 100 V, 0.66 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD9N10ET4 9 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTDF2N06HDR2 1500 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MTH13N50 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC
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參數(shù)描述
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MTD6P10ET4 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MTD7030 制造商:MARKTECH 制造商全稱:Marktech Corporate 功能描述:PHOTO DIODE
MTD7030A 制造商:MARKTECH 制造商全稱:Marktech Corporate 功能描述:PHOTO DIODE
MTD8000M3B-T 制造商:Marktech Optoelectronics 功能描述:PHOTOTRANS 880NM DOME 3MM
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