- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296641 > MT46H256M32L2JV-75IT:A 256M X 32 DDR DRAM, 6 ns, PBGA168 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT46H256M32L2JV-75IT:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 32 DDR DRAM, 6 ns, PBGA168 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-168 |
| 文件頁數(shù)： | 91/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 3431K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁當(dāng)前第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁
Figure 46: Random WRITE Cycles
tDQSS (NOM)
CK
CK#
Command
WRITE1,2
NOP
Address
Bank,
Col b
Bank,
Col x
Bank,
Col n
Bank,
Col g
Bank,
Col a
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
T1n
T3n
T5n
DQ3,4
DQS
DM
Don’t Care
Transitioning Data
DIN
b’
DIN
x
DIN
x’
DIN
b
DIN
n’
DIN
a
DIN
a’
DIN
g
DIN
g’
DIN
n
WRITE1,2
Notes: 1. Each WRITE command can be to any bank.
2. Programmed BL = 2, 4, 8, or 16 in cases shown.
3. DINb (or x, n, a, g) = data-in for column b (or x, n, a, g).
4. b' (or x, n, a, g) = the next data-in following DINb (x, n, a, g) according to the program-
med burst order.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
WRITE Operation
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
85
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2009 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46H256M32L4CM-54IT:A | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46H256M32L4MC-54AT:A | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA240 |
| MT46H256M32L4MC-54IT:A | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA240 |
| MT46H256M32LGMC-54AT:A | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA240 |
| MT46H256M32LGMC-6:A | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA240 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。