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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT46H256M32L2JV-75IT:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 32 DDR DRAM, 6 ns, PBGA168 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-168 |
| 文件頁數(shù)： | 80/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 3431K |
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Figure 36: READ-to-WRITE
CK#
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T1n
T4n
T5n
CK
CK#
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T4n
T5n
CK
Don’t Care
Transitioning Data
Command
READ1
BST2
NOP
Address
Bank,
Col n
WRITE1
Bank,
Col b
DM
tDQSS
(NOM)
DQ3,4
DQS
CL = 2
Command
READ1
BST2
NOP
Address
Bank,
Col n
WRITE1
Bank,
Col b
DM
tDQSS
(NOM)
DQ3,4
DQS
CL = 3
NOP
DOUT
n
DOUT
n + 1
DIN
b + 1
DIN
b
DOUT
n
DOUT
n + 1
DIN
b+1
DIN
b+2
DIN
b+3
DIN
b
Notes: 1. BL = 4 in the cases shown (applies for bursts of 8 and 16 as well; if BL = 2, the BST com-
mand shown can be NOP).
2. BST = BURST TERMINATE command; page remains open.
3. DOUTn = data-out from column n.
4. DINb = data-in from column b.
5. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
6. CKE = HIGH.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
READ Operation
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
75
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46H256M32L4CM-54IT:A | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46H256M32L4MC-54AT:A | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA240 |
| MT46H256M32L4MC-54IT:A | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA240 |
| MT46H256M32LGMC-54AT:A | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA240 |
| MT46H256M32LGMC-6:A | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA240 |
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