參數(shù)資料
型號： MRF6P3300HR5
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 7/24頁
文件大?。?/td> 879K
代理商： MRF6P3300HR5
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL NARROWBAND CHARACTERISTICS
800
16
23
0
70
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 32 Vdc
I
DQ
= 1600 mA
f = 860 MHz
100
10
21
20
19
18
17
50
40
30
20
10
η
D
,
D
G
ps
η
D
G
p
,
5
T
C
= 30 C
85 C
25 C
30 C
22
60
25 C
85 C
Figure 12. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
V
DD
= 12 V
G
p
,
400
16.5
21.5
50
20.5
17.5
200
18
18.5
24 V
I
DQ
= 1600 mA
f = 860 MHz
20 V
16 V
32 V
0
19.5
100
150
250
300
350
28 V
17
19
20
21
210
10
10
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
10
8
10
7
120
140
160
180
200
M
2
)
10
9
100
190
170
150
130
110
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P9220HR3 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR5 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S18060MBR1 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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