參數(shù)資料
型號： MRF6P3300HR5
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
中文描述： 射頻功率場效應晶體管（N溝道增強型MOSFET的側）
文件頁數(shù)： 21/24頁
文件大小： 879K
代理商： MRF6P3300HR5
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
21
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 53. 470-860 MHz Broadband Series Equivalent Source and Load Impedance
f = 470 MHz
f = 860 MHz
Z
load
Z
o
= 25
Z
source
f = 470 MHz
f = 860 MHz
Z
o
= 25
8.86 - j2.87
560
f
MHz
Z
source
Z
load
470
510
8.77 - j5.43
8.74 - j4.17
6.09 - j4.37
6.39 - j1.65
6.69 - j2.45
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA, P
out
= 270 W PEP
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
+
+
610
660
12.41 - j3.53
10.55 - j2.45
7.36 - j1.95
7.73 - j1.75
6.81 - j10.41
710
760
13.11 - j6.04
11.29 - j10.15
7.95 - j1.20
8.18 - j1.36
7.81 - j1.60
860
3.73 - j9.66
6.94 - j2.49
810
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PDF描述
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MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
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