參數(shù)資料
型號： MRF6P3300HR5
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 23/24頁
文件大?。?/td> 879K
代理商： MRF6P3300HR5
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
23
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 375G-04
ISSUE F
NI-860C3
1
2
3
4
5
D
Q
bbb
G
L
K
2X
H
E
F
C
SEATING
PLANE
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
3. DIMENSION H TO BE MEASURED 0.030 (0.762)
AWAY FROM PACKAGE BODY.
4. RECOMMENDED BOLT CENTER DIMENSION
OF 1.140 (28.96) BASED ON 3M SCREW.
4X
B
A
T
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
MIN
1.335
0.380
0.180
0.325
0.060
0.004
1.100 BSC
MAX
1.345
0.390
0.224
0.335
0.070
0.006
MIN
33.91
9.65
4.57
8.26
1.52
0.10
27.94 BSC
MAX
34.16
9.91
5.69
8.51
1.78
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.097
0.2125 BSC
0.107
2.46
5.397 BSC
2.72
K
L
M
0.135
0.425 BSC
0.852
0.165
3.43
10.8 BSC
21.64
4.19
N
Q
R
S
0.851
0.118
0.395
0.394
0.010 REF
0.015 REF
0.869
0.138
0.405
0.406
21.62
3.00
10.03
10.01
22.07
3.30
10.29
10.31
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
0.868
22.05
bbb
ccc
0.25 REF
0.38 REF
M
A
M
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
B
(FLANGE)
4X
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
ccc
B
M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
J
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
ccc
B
M
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
A
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P9220HR3 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR5 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S18060MBR1 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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