參數(shù)資料
型號： MRF6P3300HR5
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 11/24頁
文件大?。?/td> 879K
代理商： MRF6P3300HR5
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 6. 470-860 MHz Broadband Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
B1, B2
Ferrite Beads, Short
C1, C2, C20, C21
43 pF 600B Chip Capacitors
C3, C4, C14, C15
100
μ
F, 50 V Electrolytic Capacitors
C5, C6, C16, C17
220 nF, 100 V Chip Capacitors
C7, C8, C18, C19
0.01
μ
F, 100 V Chip Capacitors
C9, C13
0.8-8.0 pF Variable Capacitors, Gigatrim
C10
15 pF 600B Chip Capacitor
C11
16 pF 600B Chip Capacitor
C12
4.3 pF 600B Chip Capacitor
C22, C23
470
μ
F, 63 V Electrolytic Capacitors
C24, C25, C26, C27
0.1
μ
F, 50 V Chip Capacitors
C28, C29
10
μ
F, 50 V Electrolytic Capacitors
Coax1, 2, 7, 8
50
, Semi Rigid Coax, 3.00
″
Long
Coax3, 4, 5, 6
25
, Semi Rigid Coax, 3.00
″
Long
R1
1 k
, 1/8 W Resistor (1206)
R2, R3
10
, 1/8 W Resistors (1206)
Part Number
2743019447
700B430FW500XT
515D107M050BB6A
C1812C224K5RAC
C1210C103J1RAC
27291SL
600S150FT250XT
600B160FT250XT
600B4R3BT250XT
NACZF471M63V
CDR33BX104AKWS
ECE-V1HA100SP
UT-141C-50-SP
UT-141C-25
CRCW1206102J
CRCW1206100J
Manufacturer
Fair-Rite
ATC
Vishay
Kemet
Kemet
Johanson
ATC
ATC
ATC
Nippon
Kemet
Panasonic
Micro-Coax
Micro-Coax
Dale/Vishay
Dale/Vishay
Figure 20. 470-860 MHz Broadband Test Circuit Component Layout
R1
M
C28
C26
COAX1
R
C3
C5
C7
C9
C10
C1
C2
C4
C8
C6
C27
C29
R3
V
GG
B2
V
GG
R2
V
DD
C22
COAX5
C24
C14
C19
C17
C18
C12
C11
C13
C20
C21
C15
V
DD
C25
C23
C
COAX2
COAX3
COAX4
B1
COAX7
COAX8
COAX6
C16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P9220HR3 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR5 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S18060MBR1 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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